测量杂质浓度的方法及存储杂质浓度测量程序的记录介质

摘要

在半导体基片的相同位置处进行脉冲CV特性的测量和SIMS测量。对SIMS分布图用最小二乘方法进行校正,使得从SIMS分布图得到的一剂量与载流子浓度分布中得到的一剂量相一致;在引入多种杂质的情况下,进行脉冲CV测量和SIMS测量,根据每次引入杂质时的模拟分析,估算杂质浓度分布和载流子浓度分布。当引入的杂质浓度较高时,引入其导电型与前面杂质导电型相反的杂质。

主权项

1．一种测量杂质浓度的方法，包括如下步骤：向半导体基片中引入一种杂质；活化该杂质；测量该半导体基片的脉冲CV特性；根据此脉冲CV特性计算所述半导体基片沿深度方向的载流子浓度分布；在测量所述脉冲CV特性的相同位置处进行该半导体基片的SIMS测量，以计算所述杂质的SIMS分布；在确保所述载流子浓度精确的一深度范围内，对SIMS分布图用最小二乘方法进行校正，使得从所述SIMS分布图中得到的一剂量与载流子浓度分布中得到的一剂量相一致；以及将该半导体基片用作标准样品进行其它样品的SIMS测量。