发明名称 | 半导体器件的测试方法和带标识晶体管电路的半导体器件 | ||
摘要 | 一个位于半导体芯片上的标识晶体管电路,包括一个P-型MOS晶体管和一个N-型MOS晶体管,相互串联在电源接点和地接点之间;一个第一反相器与测试信号端相连并输出给N-型MOS晶体管的漏极;一个第二反相器与第一反相器的输出相连并输出给P-型MOS晶体管的漏极。当性能测试确定该芯片为次品时,输入高电位信号使晶体管标识电路闭锁而损坏进而被确认出来。结果可以确保能确认出次品而不会影响相邻芯片。 | ||
申请公布号 | CN1223468A | 申请公布日期 | 1999.07.21 |
申请号 | CN99100150.8 | 申请日期 | 1999.01.12 |
申请人 | 日本电气株式会社 | 发明人 | 冲康充 |
分类号 | H01L21/66 | 主分类号 | H01L21/66 |
代理机构 | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
主权项 | 1、一种测试半导体器件的方法,其特征在于该方法包括如下步骤:设置一个具有标识晶体管电路的半导体芯片;对半导体芯片进行性能测试以确定该芯片是否为次品;当确定为次品芯片时,输入一个使所述的标识晶体管电路产生闭锁的信号并且使该标识的晶体管损坏,从而使该标识的晶体管被观测识别出来。 | ||
地址 | 日本国东京都 |