发明名称 Plasma etching silicon using a CF gas to produce an inclined or tapered sidewall
摘要
申请公布号 GB2333267(A) 申请公布日期 1999.07.21
申请号 GB19990000944 申请日期 1999.01.15
申请人 * NEC CORPORATION 发明人 AKIRA * MITSUIKI
分类号 C23F4/00;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3213;(IPC1-7):H01L21/306 主分类号 C23F4/00
代理机构 代理人
主权项
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