Selective anisotropic plasma etching of a silicon nitride film using CO and a CHF gas at reduced substrate temperature,申请号GB19990001151-传众专利搜索

发明名称	Selective anisotropic plasma etching of a silicon nitride film using CO and a CHF gas at reduced substrate temperature
摘要
申请公布号	GB2333268(A)	申请公布日期	1999.07.21
申请号	GB19990001151	申请日期	1999.01.19
申请人	* NEC CORPORATION	发明人	KEIICHI * HARASHIMA
分类号	H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/306	主分类号	H01L21/302
代理机构		代理人
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