巨磁阻材料P－N结结构

摘要

本发明涉及巨磁阻材料P－N结结构。在单晶基底上制备一层N型或P型巨磁阻薄膜,然后再在上述薄膜上制备一层P型或N型巨磁阻材料薄膜,这样就制备成一个巨磁阻材料P－N结。包括在已经制备好的P－N结材料薄膜上制备另一层不同类型的巨磁阻材料薄膜就获得了P－N－P或N－P－N型巨磁阻材料三极管结构。交替制备P型与N型巨磁阻材料薄膜就获得了多层P－N结结构,P－N结或三极管结构或P－N结多层结构都对磁场相当敏感,其特性曲线是磁场的函数。

主权项

1．一种巨磁阻材料P-N结结构，其特征在于：包括在基片上淀积一层P型或N型巨磁阻材料，再在上述P型或N型巨磁阻材料上淀积一层N型或P型体巨磁阻材料。由P型和N型巨磁阻材料交替淀积组成。其中巨磁阻材料P-N结结构的电流-电压关系为半导体Ⅰ-Ⅴ曲线，电阻为磁场强度的函数。