| 发明名称 |
Self-aligned halo process for reducing junction capacitance |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG66330(A1) |
申请公布日期 |
1999.07.20 |
| 申请号 |
SG19960010842 |
申请日期 |
1996.10.10 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD. |
发明人 |
PAN YANG |
| 分类号 |
H01L21/8234;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01G5/00 |
主分类号 |
H01L21/8234 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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