| 发明名称 |
DEGREE OF METAL CONTAMINATION MESURING METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100207537(B1) |
申请公布日期 |
1999.07.15 |
| 申请号 |
KR19960066947 |
申请日期 |
1996.12.17 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
PARK, GAE-SEON |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/48;(IPC1-7):H01L21/48 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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