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发明名称 Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterdünnschicht und damit hergestellte Halbleiterdünnschicht
摘要
申请公布号 DE69033153(D1) 申请公布日期 1999.07.15
申请号 DE1990633153 申请日期 1990.03.30
申请人 CANON K.K., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 YONEHARA, TAKAO, ATSUGI-SHI, KANAGAWA-KEN, JP
分类号 H01L21/20;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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