FABRICATION METHOD OF A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE,申请号KR19910010118-传众专利搜索

发明名称	FABRICATION METHOD OF A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号	KR100210580(B1)	申请公布日期	1999.07.15
申请号	KR19910010118	申请日期	1991.06.19
申请人	HITACHI LTD.	发明人	KUME, HITOSHI;ADACHI, TETSUO;OJI, YUZURU;KURE, TOKUO;USHIYAMA, MASAHIRO;KAWAKAMI, HIROSHI
分类号	H01L27/115;(IPC1-7):H01L27/115	主分类号	H01L27/115
代理机构		代理人
主权项
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