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发明名称 Verfahren zum Herstellen einer strahlungsemittierenden Diode
摘要
申请公布号 DE4305296(C3) 申请公布日期 1999.07.15
申请号 DE19934305296 申请日期 1993.02.20
申请人 VISHAY SEMICONDUCTOR GMBH, 74072 HEILBRONN, DE 发明人 GERNER, JOCHEN, DIPL.-PHYS., 6908 WIESLOCH, DE
分类号 H01L21/308;H01L21/301;H01L21/316;H01L33/02;H01L33/22;(IPC1-7):H01L33/00;H01L21/306 主分类号 H01L21/308
代理机构 代理人
主权项
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