氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件

摘要

公开了一种晶体缺陷非常之少,可以作为衬底使用的氮化物半导体晶体的生长方法。本方法包括下述工程:在由具有主面、且含有由与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底的支持体之上,形成具备使该支持体的表面选择性地露出来的多个第1窗口的第一选择生长掩模的工序,和用气态3族元素源及气态氮元素源,从窗口露了出来的支持体的表面开始生长氯化物半导体直到相邻的窗口生成的氯化物半导体晶体在选择生长掩模的上表面合为一体为止的工序。

主权项

1．一种氮化物半导体的生长方法，其特征在于，该方法含有下述工序：(a)在具有主面，且由用与氮化物半导体不同的材料形成的异种衬底和用设于该异种衬底的主面上的氮化物半导体形成的基底层构成的支持体之上，形成具备使该支持体的基底层的表面选择性地露出来的多个第1窗口的第1选择生长掩模的形成工序；及(b)用气态的3族元素源和气态的氮元素源，从由该窗口中露出来的该基底层的表面开始生长氮化物半导体，直到相邻的窗口中生长的氮化物半导体在选择生长掩模的上表面上合为一体为止的生长工序。