| 发明名称 | 埋入式异质结构 | ||
| 摘要 | 一个外延生长半导体异质结构有一个基本上被限制区域(9)侧面限制的内部区域,还有被增强的横向限制层(3,7)增强地横向限制。后一类层通过在下部增强的横向限制层(3)的上面停止产生侧面限制的蚀刻,并在制造侧面限制区域(9)之后生长这样一个上部层(7)而不在处理过程中暴露在生长腔的外部。该结构计划来使内部区域作为有源激光区域,比如用于Inp基的1.3μm波长激光器。然后,同时发生的侧面限制、增强的横向限制和暴露保护,同时使得能有低门限电流、小的温度敏感性和可靠的、长时间的操作。增强的横向限制层(3,7)可能包括在处理过程中铝的氧化保护。这样的激光器将防止可靠性下降。 | ||
| 申请公布号 | CN1223021A | 申请公布日期 | 1999.07.14 |
| 申请号 | CN97194140.8 | 申请日期 | 1997.02.25 |
| 申请人 | 艾利森电话股份有限公司 | 发明人 | U·乌兰德;M·拉斯克;B·斯托尔茨 |
| 分类号 | H01S3/19 | 主分类号 | H01S3/19 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;陈景峻 |
| 主权项 | 1．造于一个基底之上、包括一个基本上在侧面方向上被光学和电子限制的内部区域、还包括至少一个增强的横向限制层的一个多层半导体结构，其特征在于，在基本上侧面限制的内部区域和至少一个增强的横向限制层之间至少有一个分离层，该至少一个增强的横向限制层不是以和内部区域同样方式被侧面限制的。 | ||
| 地址 | 瑞典斯德哥尔摩 | ||