| 发明名称 | 氮化物半导体光发射器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 氮化物半导体光发射器件,使用含铟的Ⅲ族氮化物半导体层作为光发射层,该层为由具有不同含铟量的主相和子相组成的多相结构,其特征是,所述的子相主要由晶体构成,其和主相的边界由变形层包围。 | ||
| 申请公布号 | CN1222770A | 申请公布日期 | 1999.07.14 |
| 申请号 | CN98124075.5 | 申请日期 | 1998.12.25 |
| 申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 宇田川隆 |
| 分类号 | H01L33/00;H01S3/18 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．氮化物半导体光发射器件，使用含铟的Ⅲ族氮化物半导体层作为光发射层，该层为由具有不同含铟量的主相和子相组成的多相结构，其特征是，所述的子相主要由晶体构成，其和主相的边界由变形层包围。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||