| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在一种半导体器件及其制造方法中,在邻接第二杂质区(6)的端部设置一隔离绝缘膜(2),还带有延伸到半导体衬底(1)的凹槽。这就去掉了存在于隔离绝缘膜端部的晶体缺陷,因而防止了从存储结点(10)在此部分的漏电流。因此,在邻接杂质区的隔离氧化膜的端部的凹槽构造去掉了在此区域的晶体缺陷,于是消除了漏电的可能性。 | ||
| 申请公布号 | CN1222766A | 申请公布日期 | 1999.07.14 |
| 申请号 | CN98123418.6 | 申请日期 | 1995.12.07 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 木村广嗣;西村正;鹤田孝弘;有本和民;山形整人;藤岛一康 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L27/108;H01L21/8239 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 杜日新 |
| 主权项 | 1．一种半导体器件，其特征在于包括：一块具有一主表面和第一杂质浓度的第一导电类型半导体衬底(1)；在所说的半导体衬底的主表面所形成的一元件隔离绝缘层(303)；在所说的半导体衬底所形成的第一导电类型的用于元件隔离的一杂质区，该区与所说的元件隔离绝缘层的下侧相接触；在所说的半导体衬底的主表面所形成的第二导电类型的第一寻质区(307)，该区与所说的用于元件隔离的杂质区被其间的预定区域隔开；在所说的半导体衬底的主表面所形成的绝缘层(315、319)，该层具有一通至所说的第一杂质区和所说的预定区域的表面部的开孔(321)；具有比所说的第一杂质浓度还高的第二杂质浓度的第二导电类型的第二杂质区(313)，该区具有一个与位于开孔底表面的所说的第一杂质区和所说的预定区域重叠的区域并与用于元件隔离的杂质区相连接；覆盖所说的开孔侧壁的一侧壁绝缘层(323)；以及通过所说的开孔与所说的第一和第二杂质区电连接的一导电层(325)。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||