在硅化物膜上进行化学汽相淀积的方法和设备

摘要

一种对在集成电路的栅极平面互连上化学汽相淀积硅化物进行改善的方法和设备,以便减少硅化物的异常氧化和成核。根据本发明的一个方案,在集成电路中形成栅极平面互连的方法,包括形成衬底,在衬底上淀积栅氧化层,在栅氧化层上淀积多晶硅层。在第一淀积温度下采用第一化学汽相淀积工艺,在多晶硅层上形成第一硅化物层,在第二淀积温度下采用第二化学汽相淀积工艺,在第一硅化物层上形成第二硅化物层。在一个实施例中,第二硅化物层直接形成在第一硅化物层上。

主权项

1．一种在集成电路中形成栅极平面互连的方法，包括：形成衬底；在衬底上淀积栅氧化层；在栅氧化层上淀积多晶硅层；在第一淀积温度下，采用第一化学汽相淀积工艺，在多晶硅层上形成第一硅化物层；在第二淀积温度下，采用第二化学汽相淀积工艺，在第一硅化物层上形成第二硅化物层。