| 发明名称 | 半导体器件的电容器及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种使用含硅导电层作为存储节点的高电容的电容器及其形成方法。电容器包括存储节点、非晶Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>介质层和平板节点。此时,通过将反应汽相材料提供到存储节点上的方法,例如原子层淀积法形成非晶Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>层。此外,在形成非晶Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>层之前,对存储节点进行快速热氮化处理。形成平板节点后在约850℃下通过退火致密非晶Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>层,由此实现接近理论值30埃的氧化层的等效厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1222765A | 申请公布日期 | 1999.07.14 |
| 申请号 | CN98115946.X | 申请日期 | 1998.07.10 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金荣宽;朴仁善;李相旼;朴昌洙 |
| 分类号 | H01L27/10;H01L21/82;H01G4/12 | 主分类号 | H01L27/10 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1．一种半导体器件的电容器，包括：存储节点；存储节点上由非晶Al2O3形成的介质层；以及形成在介质层上的平板节点。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||