| 主权项 |
1.一种乐浦波装置,其包括:一X向传播之Y切割LiNbO3基片;以及一用以激励一乐浦波的交指型转换器,其中该转换器包括一位在该Y切割基片上的钽薄膜。2.一种乐浦波装置,其包括:一X向传播之Y切割LiNbO3基片;以及一用以激励一乐浦波的交指型转换器,该转换器系主要由一位在该Y切割基片上的钨薄膜所构成。3.一种乐浦波装置,其包括:一X向传播之Y切割基片;以及一用以激励一乐浦波的交指型转换器;该转换器包括一位在该Y切割基片上的钽薄膜;其中该钽薄膜具有一规格化薄膜厚度H Ta/,其范围约在0.03至0.15,其中H Ta代表该钽薄膜之薄膜厚度,而代表该乐浦波之波长。4.一种乐浦波装置,其包括:一X向传播之Y切割基片;以及一用以激励一乐浦波的交指型转换器;该转换器系主要由一位在该Y切割基片上的钨薄膜所构成;其中该钨薄膜具有一规格化薄膜厚度H W/,其范围约在0.028至0.15,其中H W代表该钨薄膜之薄膜厚度,而代表该乐浦波之波长。5.如申请专利范围第2项之乐浦波装置,其中该转换器系为位在该Y切割LiNbO3基片上单一钨层。6.如申请专利范围第3项之乐浦波装置,其中该规格化薄膜厚度约为0.04并且该转换器与该Y切割LiNbO3基片的电机耦合因数K约为0.54。7.如申请专利范围第3项之乐浦波装置,其中该转换器与该Y切割LiNbO3基片的电机耦合因数K系大于约0.4之値。8.如申请专利范围第4项之乐浦波装置,其中该规格化薄膜厚度约为0.04并且该转换器与该Y切割LiNbO3基片的电机耦合因数K约为0.52。9.如申请专利范围第4项之乐浦波装置,其中该转换器与该Y切割LiNbO3基片的电机耦合因数K系大于约0.4之値。10.如申请专利范围第4项之乐浦波装置,其中该转换器系为位在该Y切割LiNbO3基片上之单一钨层。11.一种乐浦波装置,其包括:一X向传播之Y切割基片;以及一用以激励一乐浦波的交指型转换器,其中该转换器包括一位在该Y切割基片上的钽薄膜,该Y切割基片之表面声波速度系高于钽之表面声波速度。12.如申请专利范围第11项之乐浦波装置,其中该钽薄膜具有一规格化薄膜厚度H Ta/,其范围约在0.03至0.15,其中H Ta代表该钽薄膜之薄膜厚度,而代表该乐浦波之波长。13.如申请专利范围第12项之乐浦波装置,其中该规格化薄膜厚度约为0.04并且该转换器与该Y切割基片的电机耦合因数K约为0.54。14.如申请专利范围第11项之乐浦波装置,其中该转换器与该Y切割基片的电机耦合因数K系大于约0.4之値。15.一种乐浦波装置,其包括:一X向传播之Y切割基片;以及一用以激励一乐浦波的交指型转换器,其中该转换器包括一位在该Y切割基片上的钨薄膜,该Y切割基片之表面声波速度系高于钨之表面声波速度。16.如申请专利范围第15项之乐浦波装置,其中该钨薄膜具有一规格化薄膜厚度H Ta/,其范围约在0.028至0.15,其中H W代表该钨薄膜之薄膜厚度,而代表该乐浦波之波长。17.如申请专利范围第16项之乐浦波装置,其中该规格化薄膜厚度约为0.04并且该转换器与该Y切割基片的电机耦合因数K约为0.5218.如申请专利范围第15项之乐浦波装置,其中该转换器与该Y切割基片的电机耦合因数K系大于约0.4之値。图式简单说明:第一图是一种乐浦波装置的片段剖视图,用以分析本创作的乐浦波。第二图是一图式,显示了本创作第一个实施例的SAW速度V与规格化薄膜厚度HTa/的关系。第三图是一图式,显示了本创作第一个实施例的电机耦合系数k与规格化薄膜厚度HTa/的关系。第四图为本创作第一个实施例的剖视图。第五图是一图式,显示了本创作第一个实施例的阻抗特性。第六图是一图式,显示了本创作第二个实施例的SAW速度V与规格化薄膜厚度HW/的关系。第七图是一图式,显示了本创作第二个实施例的电机耦合系数k与规格化薄膜厚度HW/的关系。第八图是一种习用乐浦波装置的剖视图;以及第九图是另一种习用乐浦波装置的剖视图。 |
