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1.一种用制造具有矽化层结构与轻度掺杂汲极结 构之半导 体装置之方法,该方法包括步骤:在半导体基质上 形成闸 极绝缘层;在该闸极绝缘层上形成聚矽层;将该聚 矽层铸 模成具有垂直边壁之闸电极与顶表面;将杂质导入 该半导 体基质并使用该闸电极作为罩幕而形成轻度掺杂 源极/汲 极区;在该半导体基质表面该闸电极上形成第一绝 缘层; 各向异性地蚀刻第一绝缘层而将该闸电极边壁上 第一绝缘 层铸模成边壁隔衬;将杂质导入该半导体基质并使 用该闸 电极与该边壁隔衬作为罩幕而形成高度掺杂源极/ 汲极区 ;然后在该半导体基质,该边壁隔衬,与该闸电极表 面上 形成钛层;在距离该基质表面平面大约30与60间将 氮植 入该钛层而在该钛层上形成氮化钛层;将该钛层热 退火而 在该闸电极顶表面与该高度掺杂源极/汲极区中形 成矽化 钛;以及蚀刻该氮化矽钛层与任何残余钛层而将已 消除短 路矽化钛留在该闸电极顶表面与该高度掺杂源极/ 汲极区 。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中将第一绝 缘膜铸 模步骤包括在该闸电极边壁与该半导体基质表面 上形成该 边壁隔衬且与该闸极绝缘层接触。3.根据申请专 利范围第1项之方法,其中该闸绝缘层厚度 在大约100至200A范围内。4.根据申请专利范围第1项 之方法,其中该边壁隔衬厚度 在大约1500至3000A范围内。5.根据申请专利范围第1 项之方法,其中该钛层厚度在大 约600至1000A范围内。6.根据申请专利范围第1项之 方法,其中在该边壁隔衬上 氮化钛层厚度在大约600至1000A范围内。7.根据申请 专利范围第1项之方法,其中在闸电极顶表面 与高度掺杂源极/汲极区之氮化钛层厚度在大约300 至 500A范围内。8.根据申请专利范围第1项之方法,其 中以大角度植入氮 步骤包括以大约30与70 Kev间能量,大约1E15与3E15ions /sq.cm剂量将氮植入。9.根据申请专利范围第1项之 方法,其中该钛层热退火步 骤另外包括在大约650至750℃温度间将该钛层加热 大约30 与60秒之间。10.根据申请专利范围第1项之方法,其 中蚀刻该氮化钛层 与钛层步骤包括在大约30与50℃之间使用NH4OH,H2O2, 与H2O。11.一种具有矽化层结构与轻度掺杂汲极结 构之半导体装 置制法,该制法包括步骤:在半导体基质表面上形 成闸极 绝缘层;在具有垂直边壁之闸极绝缘膜与顶表面上 形成闸 电极;形成由该闸电极分隔之轻度掺杂源极/汲极 区;在 该闸电极垂直边壁上形成边壁隔衬;将杂质植入该 半导体 基质并使用该闸电极与该边壁隔衬作为罩幕而形 成高度掺 杂源极/汲极区;然后在该半导体基质,该边壁隔衬 与该 闸电极表面上形成钛层;以大角度将氮植入该钛层 而在该 钛层上形成氮化钛层,将该钛层热火而在该闸电极 顶表面 上与该高度源极/汲极区中形成矽化钛,以及蚀刻 该氮化 钛层与任何残余钛层而将已消除短路之矽化钛留 在该闸电 极顶表面上与该高度掺杂源极/汲极区中。12.根据 申请专利范围第11项之半导体装置制法,其中该 闸极绝缘层厚度在大约100至200A范围内。13.根据申 请专利范围第11项之半导体装置制法,其中该 边壁隔衬厚度在大约1500至3000A范围内。14.根据申 请专利范围第11项之半导体装置制法,其中该 钛层厚度在大约600至1000A范围内。15.根据申请专 利范围第11项之半导体装置制法,其中在 该边壁隔衬上氮化钛层厚度在大约600至1000A范围 内。16.根据申请专利范围第11项之半导体装置制 法,其中在 该闸电极顶表面上与高度掺杂源极/汲极区中之氮 化钛层 厚度在大约300至500A范围内。17.根据申请专利范围 第11项之半导体装置制法,其中以 大角度植入氮之步骤另外包括以角度大约30与60度 之间, 能量大约30与70 Kev之间,剂量大约1E15至3E15ions/sq. cm之间将氮植入。18.根据申请专利范围第11项之半 导体装置制法,其中将 钛层热退火步骤另外包括在大约650至750℃间将该 钛层加 热大约30与60秒之间。19.根据申请专利范围第11项 之半导体装置制法,其中将 该氮化钛层与钛层蚀刻之步骤包括在大约30与50℃ 之间使 用NH4OH,H2O2与H2O。20.一种具有闸电极与由轻度掺杂 源极/汲极区分隔之高 度掺杂源极/汲极区之FET半导体制法,该闸电极位 于半 导体基质之闸氧化层上且具有边壁隔衬,该制法包 括步骤 :在该半导体基质,连壁隔衬,与闸电极表面上形成 钛层 ;以距离该基质表面平面之大角度将氮植入该钛层 而在该 钛层上形成氮化钛,将该钛层热退火而在该闸电极 顶表面 上与高度掺杂源极/汲极区中形成矽化钛,以及蚀 刻该氮 化钛层与任何残余钛层而将已消除短路矽化钛留 在该闸电 极顶表面与高度掺杂源极/汲极区中。21.根据申请 专利范围第20项之半导体制法,其中该闸极 绝缘层厚度在大约100至200A范围内。22.根据申请专 利范围第20项之半导体制法,其中该边壁 隔衬厚度在大约1500至3000A范围内。23.根据申请专 利范围第20项之半导体制法,其中该钛层 厚度在大约600至1000A范围内。24.根据申请专利范 围第20项之半导体制法,其中在该边 壁隔衬上氮化钛厚度在大约600至1000A范围内。25. 根据申请专利范围第20项之半导体制法,其中在该 闸 电极顶表面上与高度掺杂源极/汲极区中氮化钛厚 度在大 约300至500A范围内。26.根据申请专利范围第20项之 半导体制法,其中以大角 度将氮植入之步骤另外包括在距离该基质表面平 面大约30 与60度之间,能量大约30与70 Kev之间剂量大约1E15与 3E15 ions/sq.cm之间将氮植入。27.根据申请专利范围 第30项之半导体制法,其中将该钛 层热退火步骤另外包括在大约650至750℃之间将该 钛层加 热大约30与60秒之间。28.根据申请专利范围第20项 之半导体制法,其中该氮化 钛层与钛层蚀刻步骤另外包括在大约30与50℃之间 使用 NH4OH,H2O2与H2O。图式简单说明:第一图A为先前技艺 中MOS晶体管之横截面图。第一图B为先前技艺中轻 度掺杂 汲极(LDD)MOS晶体管之横截面图。第一图C为先前技 艺中 会产生造成短路矽化层桥接问题之LDD MOS晶体管横 截面 图。第二图说明本发明中轻度掺杂汲极MOS装置中 从基质 至在闸电极上形成钛层之步骤。第三图说明本发 明中轻度 掺杂汲极MOS装置中在闸电极及高度掺杂源/汲极上 形成 氮化钛层之步骤。第四图说明本发明中轻度掺杂 汲极MOS 装置中在闸电极与源/汲极区上形成矽化层之步骤 。第五 图说明本发明中轻度掺杂汲极MOS装置中最后布线 层连接 及绝缘层覆盖之步骤。 |
