溅射高熔点金属用的溅射设备和有高熔点金属的半导体器件的制造方法

摘要

半导体器件制造方法,用于形成高熔点金属硅化物层,在溅射设备不造成损坏条件下溅射高熔点金属,还提供了其溅射设备。方法中,在有半导体元件栅极的硅衬底上淀积高熔点金属形成高熔点金属膜,然后热处理,在与膜的界面上形成高熔点金属硅化物,在到达栅极的电荷量Q小于5C/cm²时用磁控溅射设备淀积高熔点金属膜。溅射设备30设有含导电材料的有许多从靶到晶片的通孔的校准板32,位于靶夹具16与晶片夹具14间并接地。

主权项

1．半导体器件的制造方法，其中，在形成有半导体元件的栅电极的硅衬底表面上淀积高熔点金属以形成高熔点金属的金属膜，之后，热处理，在与高熔点金属膜的界面层形成高熔点金属的金属硅化物层，在到达所述栅电极的电荷量小于5C/cm2条件下，改善用磁控溅射设备溅射淀积的高熔点金属膜。