| 发明名称 |
A method for forming a conductive layer on a semiconductor substrate |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
GB2332980(A) |
申请公布日期 |
1999.07.07 |
| 申请号 |
GB19980008827 |
申请日期 |
1998.04.24 |
| 申请人 |
* SAMSUNG ELECTRONICS CO LIMITED |
发明人 |
SANG-BOM * KANG;YUN-SOOK * CHAE;CHANG-SOO * PARK;SANG-IN * LEE |
| 分类号 |
C23C16/08;C23C16/42;C23C16/44;C23C16/455;H01L21/285;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/285 |
主分类号 |
C23C16/08 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
