| 发明名称 | 使用含聚合物的光致抗蚀剂的半导体装置及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种使用含共聚物的光致抗蚀剂的半导体装置及其制备方法。因合成的具有一亲水性基的降冰片烯衍生物(单体)且引至聚合物的主链中,根据本发明的聚合物具有优良的抗蚀性和抗热(这些特征为脂环烯结构的特点),以及由于引入一亲水性基(－OH)产生显着的黏着性增加而产生优异的分辨度。 | ||
| 申请公布号 | CN1221969A | 申请公布日期 | 1999.07.07 |
| 申请号 | CN98126743.2 | 申请日期 | 1998.12.31 |
| 申请人 | 现代电子产业株式会社 | 发明人 | 郑旼镐;郑载昌;白基镐;卜喆圭 |
| 分类号 | H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 丁业平 |
| 主权项 | 1．一种单体，包含以下列化学式Ⅱ表示的新颖双环烯衍生物：[式Ⅱ]<img file="A9812674300021.GIF" wi="539" he="204" />其中，R′和R″相互独立地表示氢、带有或没有取代基的直链或支链C<sub>1</sub>-C<sub>4</sub>烷基，m表示1到8的数目，n表示1到6的数目。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||