发明名称 反应磁控管溅射装置和方法
摘要 一种在基片上形成光学薄膜的方法和装置,该装置具有安装着传统磁控管溅射系统和异常高速真空泵的真空室。惰性气体的低压在5×10<SUP>-5</SUP>乇至2.0×10<SUP>-4</SUP>乇范围内,而磁控管溅射系统与所述基片相距至少20英寸。一气体总管将惰性工作气体限制在磁控管附近,当气体扩散和膨胀进入腔室时,高速真空泵将膨胀的气体高速抽出真空室。一离子枪将电离的反应气体射向基片,由此可改进薄膜的化学计量比,以及减少在磁控管处的反应气体。
申请公布号 CN1222204A 申请公布日期 1999.07.07
申请号 CN96180323.1 申请日期 1996.06.10
申请人 康宁OCA有限公司 发明人 迈克尔·A·斯科比
分类号 C23C14/35;C23C14/08;H01J37/34 主分类号 C23C14/35
代理机构 上海专利商标事务所 代理人 吴明华
主权项 1.一种在一基片上淀积溅射粒子、以形成低损耗光学涂层的方法,它包括以下步骤:将基片置于一真空室里,该真空室具有一溅射粒子的磁控管和源,以及部分地遮盖磁控管的惰性气体挡板,所述基片具有面向与其相距较长投射行程距离的所述源的表面;使磁控管工作,自所述源溅射粒子以在基片表面上涂敷,还包括将惰性气体引导至所述挡板;用高速高真空泵自真空室迅速抽取和减少惰性气体;以及使电离的反应气体对准基片表面,以便于反应涂敷,从而在基片表面形成低损耗光学涂层。
地址 美国马萨诸塞州
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