发明名称 | 制造半导体封装的方法 | ||
摘要 | 一种制造半导体芯片封装的方法。把消耗层(100)用作基底,以选择性地形成导电焊接区(110)阵列,从而由这些焊接区来限定区(114)。把半导体芯片的背面(122)附加到位于焊接区之间的区内的消耗层上,从而芯片的触点承载表面(121)与消耗层分开。然后,通常通过其间的丝键合金属丝(130)把芯片触点电气连接到各个焊接区。然后,淀积液体密封剂(140)。使密封剂固化,并完整除去或选择性地除去消耗层,以暴露需电气附加到PWB的焊接区的表面以及用于产生从芯片到PWB的导热通路的芯片背面。 | ||
申请公布号 | CN1222252A | 申请公布日期 | 1999.07.07 |
申请号 | CN97195605.7 | 申请日期 | 1997.04.17 |
申请人 | 德塞拉股份有限公司 | 发明人 | 约瑟夫·菲耶尔斯塔 |
分类号 | H01L21/56;H01L21/58;H01L21/60 | 主分类号 | H01L21/56 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 张政权 |
主权项 | 1.一种制造半导体芯片封装的方法,其特征在于以下步骤:制备消耗层;在消耗层的第一表面上选择性地形成导电焊接区阵列,从而由这些焊接区来限定中央区;把半导体芯片的背面附加到中央区以内的消耗层,从而芯片的触点承载表面与消耗层分开;把每个触点电气连接到各个焊接区;在消耗层的第一表面上淀积可固化的介电材料,从而把焊接区、电气连线和芯片都密封起来,并固化此介电材料;以及选择性地除去消耗层的至少一部分。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |