| 发明名称 | 集成电路上薄膜层中分布的去耦电容器结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了在集成电路(IC)的Si层和布线层上的一组分开的薄膜(TF)层中构成的有大电容C的薄膜电容器的应用。该电容值C很大,按本发明的两层IC结构中的金属－绝缘体－金属(MIM)电容器结构包括上层,在包括下层的Si晶片衬底中构成CMOS逻辑和存贮器电路。所加的薄膜电容用于使在GHz IC工作中的电源电压稳定在一个恒定电平上。 | ||
| 申请公布号 | CN1221985A | 申请公布日期 | 1999.07.07 |
| 申请号 | CN98122632.9 | 申请日期 | 1998.11.23 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | P·G·埃玛;黄威;S·M·盖茨 |
| 分类号 | H01L27/00;H01L21/70 | 主分类号 | H01L27/00 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 邹光新;王忠忠 |
| 主权项 | 1．在集成电路芯片的一对薄膜金属布线层之间的一种金属-绝缘体-金属(MIM)薄膜电容器结构，构成两层结构，所述两层结构包括MIM电容器层和集成电路层。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||