| 发明名称 |
LOW NOISE MOS-TYPE SEMICONDUCTOR CIRCUIT |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH11177410(A) |
申请公布日期 |
1999.07.02 |
| 申请号 |
JP19970338458 |
申请日期 |
1997.12.09 |
| 申请人 |
HITACHI LTD |
发明人 |
KAMIMURA TETSUYA;YAGYU MASAYOSHI;TANAKA KATSUYA;IWANAGA TOMOHISA;SAITO TATSUYA;YAMASHITA HIROKI;NAKANISHI KEIICHIRO |
| 分类号 |
H01L21/8234;H01L27/06;H03K19/003;H03K19/0944;(IPC1-7):H03K19/094;H01L21/823 |
主分类号 |
H01L21/8234 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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