| 摘要 |
<p><P>Une structure d'implantation d'un dispositif à semiconducteur comprend une pluralité de régions de puces formées sur une plaquette, une pluralité de régions de lignes de découpe (100) formées sur la plaquette, une pluralité de plots de liaison (26) disposés dans chacune des régions de puces, et une pluralité de plots fictifs (20, 28) disposés dans les régions de lignes (100) de façon à être respectivement connectés avec les régions de puces.</P></p> |
