| 主权项 |
1.一种供处理基片的装置,它包含:(a)一组容室,它具有:(i)一组侧壁面;(ii)一组配置在该侧壁面的一端之覆盖;以及(iii)一组配置在该侧壁面的相对端之底部;(b)一组装设在该侧壁面上的基片支撑组件悬桁臂;(c)经过一组或者多组的侧壁面以及覆盖而配置以便将气体引入到容室内的一组或者多组的进气口;(d)经过一组或者多组的侧壁面以及覆盖而配置以便将一种以上的清除气体引入到容室内的一组或者多组的进气口;以及一组配置在容室的底部的排气通口。2.如申请专利范围第1项的装置,其中至少一部份的覆盖是由一种传输电磁能量的材料所组成。3.如申请专利范围第2项的装置,其中该材料是从包含Al2O3.AlN或者其组合的族群中所选出的一种陶质物。4.如申请专利范围第2项的装置,进一步地包含被配置相邻于覆盖中传输电磁能量部份的一组或者多组RF天线,以及一组电气式连接到该RF天线的可变频率RF源头。5.如申请专利范围第4项的装置,其中该等RF天线包含一组第一和一组第二线圈,并且其中该可变频率RF源头包含电气式连接到该第一线圈的一组第一可变频率RF源头以及电气式连接到该第二线圈的一组第二可变频率RF源头。6.如申请专利范围第5项的装置,其中该第一线圈为围绕在该覆盖侧面的一组螺旋状线圈并且该第二线圈为配置相邻于该覆盖上方的一组平坦线圈,其中配置在该覆盖上方的平坦线圈形成经由它可配置一组或者多组进气口一组通道并且其中该第二线圈所形成的通道是居中地置放在该基片支撑组件的上方。7.如申请专利范围第6项的装置,其中该等第一和第二变频RF源被独立地控制。8.如申请专利范围第4项的装置,其中该等RF天线包含一组第一以及一组第二天线并且该可变频率RF源头被连接到该等第一和第二天线,其中该可变频率RF源头包含一组RF产生器,其中该装置进一步地包含具有一组输入线路以及一组第一和一组第二输出线路的一组电力分配器,并且其中该电力分配器反应于决定该电力分配器如何分配电力到它的第一以及第二输出线路的一组控制信号。9.如申请专利范围第1项的装置,其中该覆盖包含一种介电材料组成的圆盖。10.如申请专利范围第9项的装置,进一步地包含被配置相邻于覆盖的一组传热组件。11.如申请专利范围第10项的装置,其中该传热组件包含一组或者多组传热板,其中该等一组或者多组传热板包含一组加热板以及一组冷却板,其中该等加热板和冷却板是由一种热传导材料多组成,并且其中该热传导材料选择自包含AlN、SiN、Al或者其组合的族群中。12.如申请专利范围第11项的装置,其中该加热板包含配置于其中的一组电阻式加热元件,其中该冷却板包含一组或者多组配置于其中的流体通道,其中一组导热构件被配置在该加热板和该冷却板之间,其中该导热构件包含例如金属薄片、含铬物质、或者其组合,的传热材料,并且其中该导热构件包含一组或者多组配置在该加热板和该冷却板之间的皱褶。13.如申请专利范围第1项的装置,进一步地包含:(a)在该处形成清除气体的一组反应胞;(b)连接到该反应胞的一组气体源头;(c)一组微波源头;(d)用以引导从该微波源头到该反应胞之微波输出的一组导波管;以及(e)被连接在该反应胞以及被配置以便引入一组或者多组清除气体的一组或者多组进气口之间的一组或者多组通道。14.如申请专利范围第13项的装置,其中该等一组或者多组的清除气体进气口包含两组配置在容室侧壁面的进气口,并且其中该等两组清除气体进气口被配置在相邻于基片支撑组件的侧壁面。15.如申请专利范围第14项的装置,进一步地包含配置在容室中并且相邻于配置在容室中的该等一组或者多组进气口的一组消音板,其中该消音板进一步地包含具有凸出面朝向该等一组或者多组进气口被配置的一组圆形环。16.一组静电板片的处理套件,它包含一组轴环以及一组沉积在该轴环表面的传导材料。17.一组晶圆处理装置包含:a)具有大致为平面表面以接收一组晶圆的一组电气式绝缘元件;b)邻接于相对该大致为平面表面之一组绝缘元件表面的一组电气式传导元件;c)外接于该绝缘元件的一组轴环;以及d)沉积于该轴环之表面的一种传导材料。18.一种加热处理套件之方法,包含以一组具有传导表面的轴环覆盖一组电极的步骤;以及使用一组RF源头以将该传导表面加热的步骤。19.如申请专利范围第1项的装置,其中该基片支撑组件包含:(a)具有各含导管形成于其表面之至少第一以及第二区域的一个上方表面;(b)在该等第一以及第二区域之间的一个压力密封区域;以及(c)连接到在该等区域之至少一区域中的导管之一组或者多组的通道。20.如申请专利范围第19项的装置,其中该第一区域是一组中央区域并且该第二区域是一组周围区域。21.如申请专利范围第20项的装置,进一步地包含:(a)连接到该第一区域的一组高压线路;(b)连接到该高压线路的一组高压控制器;(c)连接到该第二区域的一组低压线路;以及(d)连接在该高压线路以及该低压线路之间的一组流量限制元件。22.如申请专利范围第1项的装置,其中该基片支撑组件进一步地包含:(a)至少一组被装设于该基片支撑组件中的电极;(b)覆盖该电极以支撑一组基片的一组介电材料,该介电材料具有一组上方表面,该上方表面具有各含导管以允许一种气体在该上方表面以及一组基片之间流动的中央以及周围部份;(c)在该中央以及该周围部份之间被组态以提供在该中央以及该周围部份之间的压力差量的一组第一圆环型密封区域;以及(d)至少一组将一种气体引进到该等中央以及周围部份之至少一部份的通道。23.如申请专利范围第22项的装置,进一步地包含一组或者多组配置于基片支撑组件中的提升插销,一组配置于基片支撑组件中的提升插销提升器、以及施加一组电压到该电极的一组电力供应。图式简单说明:第一图是本发明的处理容室之横截面图;第二图A-第二图C展示可被用于本发明的三种不同RF匹配结构的电气分解图;第三图展示本发明之双区域RF电浆源头的分解横截面图;第四图是上方温度控制组件以及上方天线的解剖图;第五图是本发明基片支撑组件的横截面图,第六图是本发明的基片支撑组件之上方横截面图;第七图是具有被配置的一组基片支撑组件之容室上方横截面图;第八图是一组静电板片的实施例之上方图;第八图a是静电板片的不同实施例;第九图是第八图的静电板片之一种实施例的横截面图;第十图是第八图和第九图之静电板片温度控制的流程图;第十一图是一组静电板片以及一组覆盖环的横截面图;第十二图是配置在源头线圈附近的一组覆盖环的横截面图;第十三图展示本发明的气体控制系统的部份截面侧视图;第十四图表示气体分配环以及第一气体通道的部份截面侧视图;第十五图展示气体分配环以及第二气体通道的部份截面侧视图;第十六图展示中央气体馈送组件的部份截面侧视图,第十七图是气体分配环以及覆盖组件的底板之解剖图;第十八图展示微波远距电浆清除以及它在容室上的位置之部份分解截面侧视图;第十九图是一组气体散播器的顶视图;第二十图是一组气体散播器的侧面图;以及第二十一图是一组气体消音器的透视图。 |
