发明名称 制造异丁烷及丙烯之烷基化物的方法
摘要 将碳氢化合物气流裂解成热气流,此热气流经压缩及冷却处理,使得几乎气流中所含有的碳氢化合物都冷凝。冷凝步骤之后残存之未冷凝的气流中主要包含氢和C1至C3碳氢化合物,它于约0至约250℃的吸附温度在能够选择性地吸附乙烯和丙烯的吸附床上进行变压吸附程序或变温吸附程序,藉此吸附出几乎所有存在于此气流中的乙烯和丙烯。藉由床再生作用而回收乙烯和/或丙烯。以各种方法自烷类中分离出高碳烯类。
申请公布号 TW363050 申请公布日期 1999.07.01
申请号 TW085109160 申请日期 1996.07.26
申请人 BOC集团公司 发明人 马汀布洛;雷吉米诺;雷马克瑞奇那雷马查德朗;维吉妮亚玛利克
分类号 C07C2/56 主分类号 C07C2/56
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种产制异丁烷和丙烯之烷基化物的方法,其步骤包含:(a)使用对丙烯具选择性的吸附剂,使包含丙烯和丙烷的混合物进行吸附程序,藉此制得富含丙烯的馏份和富含丙烷的馏份;(b)使包含异丁烷和丙烷的混合物进行分离程序,所用的分离程序选自蒸馏、使用对异丁烷具选择性的吸附剂之吸附法、使用异丁烷无法透过但丙烷能够透过的膜的膜分离法,或者合并这些方法,藉此制得富含异丁烷的馏份和富含丙烷的馏份;(c)使该富含丙烯的馏份与该富含异丁烷的馏份于能够进行异丁烷与丙烯之烷化反应的条件下接触。2.根据申请专利范围第1项之方法,其中,该包含异丁烷和丙烷的混合物是步骤(a)中制得之富含丙烷的馏份。3.根据申请专利范围第1项之方法,其中,该包含丙烯和丙烷的混合物是步骤(b)中制得之富含丙烷的馏份。4.根据申请专利范围第2或3项之方法,其中,该富含异丁烷的馏份中含有正丁烷,该正丁烷在步骤(c)之前被异构化成异下烷。5.根据申请专利范围第1项之方法,其中,步骤(a)的吸附程序选自变压吸附程序、变温吸附程序或二者并用。6.根据申请专利范围第5项之方法,其中,该吸附程序中的吸附步骤于高于约50℃的温度下实施。7.根据申请专利范围第5项之方法,其中,该吸附程序中的吸附步骤的实施温度范围是约50至约250℃。8.根据申请专利范围第1或7项之方法,其中,该对丙烯具有选择性的吸附剂是矾土、4A沸石、5A沸石、13X沸石、Y沸石或它们的混合物。9.根据申请专利范围第8项之方法,其中,该对丙烯具有选择性的吸附剂中含有可氧化的金属离子。10.根据申请专利范围第9项之方法,其中,可氧化的金属离子是亚铜离子。11.根据申请专利范围第10项之方法,其中,吸附步骤的实施温度介于约100和约250℃之间。12.根据申请专利范围第8项之方法,其中,吸附剂是4A沸石。13.根据申请专利范围第12项之方法,其中,该吸附剂中除了钠离子以外,尚含有其量不足以对4A沸石之特性造成负面影响之他种可交换的阳离子。14.根据申请专利范围第8项之方法,其中,该循环吸附程序是变温吸附程序,床于约100至约350℃的温度范围内进行再生处理。15.根据申请专利范围第1项之方法,其中,包含丙烯和丙烷的混合物及包含异丁烷和丙烷的该混合物中的至少一者是经裂解的碳氢化合物液流。16.根据申请专利范围第15项之方法,其中,该经裂解的碳氢化合物液流制自碳氢化合物液汽之催化性裂解或热裂解。17.根据申请专利范围第1项之方法,其中,该富含丙烯的馏份另含有乙烯或正丁烯中之至少一者。18.根据申请专利范围第12项之方法,其中,该4A沸石含有铜离子,该吸附程序中的吸附步骤的实施温度介于约125℃和约200℃之间。19.根据申请专利范围第2项之方法,其中,来自步骤(c)之未反应掉的丙烯和异丁烷循环回到在步骤(a)处理的混合物中。20.根据申请专利范围第3项之方法,其中,来自步骤(c)之未反应掉的丙烯和异丁烷循环回到在步骤(b)处理的混合物中。21.根据申请专利范围第20项之方法,其中,含有烷基化物、未反应掉的异丁烷和未反应掉的丙烯之来自步骤(c)的液流循环回到在步骤(b)处理的混合物中。22.根据申请专利范围第21项之方法,其中,烷基化物是富含异丁烷的馏份中的一部分,它藉蒸馏方式而自其中分离出来。23.根据申请专利范围第3或22项之方法,其中,该富含异丁烷的馏份另含有正丁烷,藉蒸馏方式而分离出正丁烷。24.根据申请专利范围第23项之方法,其中,分离出来的正丁烷异构化成异丁烷,并进行步骤(c)中的烷化步骤。25.根据申请专利范围第1项之方法,其中,步骤(b)中的分离步骤是一种吸附程序,选自变压吸附程序、变温吸附程序及二者并用,且该对异丁烷具有选择性的吸附剂是去铝型的Y沸石。26.根据申请专利范围第25项之方法,其中,该吸附程序是变压吸附程序,该吸附剂选自去铝型的Y沸石、硅质岩、微孔矽石及它们的混合物。图式简单说明:第一图是本发明的第一个实施例的方块图。第二图是本发明的第二个实施例的方块图。第三图是本发明之特定实施例的方块图。第四图是第三图所示之实施例之改变的方块图。
地址 美国