| 主权项 |
1.一种热敏电阻晶片,包含:一热敏电阻元件具有表 面区 域与端边部分;位于该端边部分之电极,每一个该 电极包 含三层式结构之第一及第二金属层,该第二金属层 面积在 第一金属层上,该第二金属层有一端与该热敏电阻 元件的 该表面区域接触。2.如申请专利范围第1项之热敏 电阻晶片,其中该第一金 属层及该第二金属层各包含抗焊接热物质为下层, 具有使 焊接剂湿润及抗焊接热物质作为中间层,及上层金 属可使 焊接剂湿润。3.如申请专利范围第2项之热敏电阻 晶片,其下层系由铬 、镍、铝、钨及其合金选取组成。4.如申请专利 范围第2项之热敏电阻晶片,其中间层系由 镍或镍合金选取组成。5.如申请专利范围第2项之 热敏电阻晶片,其上层系由锡 ,锡-铅合金及银中选出之材料。6.一种热敏电阻晶 片之制造方法,包含以下步骤:形成三 层式结构之第一金属层在热敏电阻两端边部分及 三层式结 构第二金属层在该第一金属层上,每一个该第二金 属层一 端边接触该热敏电阻元件表面区域;及调整该热敏 电阻元 件之一般温度范围电阻値。7.如申请专利范围第6 项之制造方法,更进一步包含测量 该第一金属层在该热敏电阻元件后的一般温度范 围电阻値 ,该第二金属层形成使该热敏电阻元件的一般温度 范围电 阻値降低,因此可调整该热敏电阻元件的一般温度 范围电 阻値。8.如申请专利范围第6项之制造方法,其中该 第一金属层 与该第二金属层各自包含抗焊接热物质为下层,具 有使焊 接剂湿润及抗焊接热物质作为中间层,及上层金属 可使焊 接剂湿润。9.如申请专利范围第7项之制造方法,其 中该第一金属层 与该第二金属层各自包含抗焊接热物质为下层,具 有使焊 接剂湿润及抗焊接热物质作为中间层,及上层金属 可使焊 接剂湿润。10.如申请专利范围第6项之制造方法, 其中该下层系由铬 、镍、铝、钨及其合金选取组成。11.如申请专利 范围第7项之制造方法,其中该下层系由铬 、镍、铝、钨及其合金选取组成。12.如申请专利 范围第6项之制造方法,其中间层系由镍或 镍合金选取组成。13.如申请专利范围第7项之制造 方法,其中间层系由镍或 镍合金选取组成。14.如申请专利范围第6项之制造 方法,其上层系由锡,锡 -铅合金及银中选出组成。15.如申请专利范围第7 项之制造方法,其上层系由锡,锡 -铅合金及银中选出组成。16.如申请专利范围第6 项之制造方法,其中该第一及第二 金属层以乾式电镀法形成。17.如申请专利范围第7 项之制造方法,其中该第一及第二 金属层以乾式电镀法形成。18.如申请专利范围第8 项之制造方法,其中该第一及第二 金属层以乾式电镀法形成。19.如申请专利范围第9 项之制造方法,其中该第一及第二 金属层以乾式电镀法形成。图式简单说明:第一图 为根据 本发明第一实施例制作之热敏电阻晶片之半成品, 以第一 金属层于热敏电阻元件上形成之部分斜视图。第 二图为根 据本发明第一实施例制作之热敏电阻晶片之部分 剖面图。 第三图为根据本发明第二实施例制作之热敏电阻 晶片之部 分剖面图。第四图为根据本发明第三实施例制作 之热敏电 阻晶片之剖面图。第五图为根据本发明第四实施 例制作之 热敏电阻晶片之剖面图。第六图为根据本发明第 五实施例 制作之热敏电阻晶片之斜视图。第七图为根据本 发明第六 实施例以第一金属层在热敏电阻元件形成之半成 品之斜视 图。第八图为根据本发明第七实施例制作之热敏 电阻元件 之剖面图。第九图为根据本发明第八实施例制作 之热敏电 阻元件之剖面图。第十图为根据本发明第九实施 例制作之 热敏电阻元件之剖面图。第十一图为习知技术之 热敏电阻 晶片之斜视图。第十二图为第十一图习知技术之 热敏电阻 晶片依12-12之剖面图。 |
