| 发明名称 |
A METHOD OF FABRICATING A MOS GATE POWER TRANSISTOR FOR CONTOLLING A THRESHOLD VOLTAGE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR100206556(B1) |
申请公布日期 |
1999.07.01 |
| 申请号 |
KR19950068226 |
申请日期 |
1995.12.30 |
| 申请人 |
FAIRCHILD KOREA SEMICONDUCTOR LTD. |
发明人 |
JANG, HO-CHUL |
| 分类号 |
H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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