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发明名称
NEGATIVE HIGH VOLTAGE GENERATING CIRCUIT OF NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要
申请公布号
KR100206188(B1)
申请公布日期
1999.07.01
申请号
KR19960044367
申请日期
1996.10.07
申请人
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD.
发明人
YONG, MYUNG-SIK;LEE, SEUNG-KUN
分类号
G11C5/14;(IPC1-7):G11C5/14
主分类号
G11C5/14
代理机构
代理人
主权项
地址
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