| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung schafft eine mikromechanische Vorrichtung, insbesondere mikromechanischer Cantilever-Sensor, mit einem Halbleitersubstrat (10) mit einer Grunddotierung mit mindestens einem darin eingebrachten, von der Grunddotierung verschiedenen Dotierungsbereich (20, 22; 25; 28); mindestens einer über dem Dotierungsbereich (20, 22; 25; 28) des Substrats (10) liegenden Epitaxieschicht (30a, 30b; 33a, 33b; 36a, 36b, 37a, 37b); und einem unter einer (30b; 33a; 37a) der Epitaxieschichten (30a, 30b; 33a; 33b; 36a, 36b, 37a, 37b) befindlichen Hohlraum (50); wobei der über dem Hohlraum (50) liegende Bereich der Epitaxieschicht (30b; 33a; 37a) eine Membranfunktion aufweist.</p> |
