| 发明名称 |
ETCHING METHOD OF GATE INSULATED FILM IN THIN FILM TRANSISTOR |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
KR100190044(B1) |
申请公布日期 |
1999.07.01 |
| 申请号 |
KR19960020361 |
申请日期 |
1996.06.07 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. |
发明人 |
HUR, JAE-HO |
| 分类号 |
H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786 |
主分类号 |
H01L29/786 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
