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发明名称 NONDESTRUCTIVE ACCESSING METHOD OF FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND ITS ACCESSING CIRCUIT
摘要
申请公布号 KR100206713(B1) 申请公布日期 1999.07.01
申请号 KR19960044850 申请日期 1996.10.09
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO, LTD. 发明人 JUN, BYUNG-GIL;PAK, CHUL-SEONG
分类号 G11C14/00;G11C11/22;(IPC1-7):G11C7/00 主分类号 G11C14/00
代理机构 代理人
主权项
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