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<p>Die elektrische Schaltungsanordnung (G) zur Transformation (W) von magnetischer Feldenergie (M) in elektrische Feldenergie (E) weist wenigstens ein erstes Speicherelement (L) für magnetische Feldenergie ((M), ein zweites Speicherelement (C) für elektrische Feldenergie (E), ein Halbleiterventilelement (D) und ein elektrisches Schaltelement (S) auf. Gemäss der Erfindung weist das Halbleitermaterial des Halbleiterventilelements (D) einen Bandabstand (VB) von wenigstens 2 eV und eine Durchbruchfeldstärke (EK) von wenigstens 5*10^5 V/cm auf. Das Halbleitermaterial des Halbleiterventilelements (D) enthält insbesondere Siliziumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) oder Diamant (Cdia). Das Halbleiterventilelement (D) ist insbesondere eine Halbleiterdiode, vorzugsweise eine Schottky-Diode. Aufgrund der erfindungsgemässen, geringen dynamischen Schaltverluste des Halbleiterventilelements (D), ist die elektrische Schaltungsanordnung (G) mit kleinsten Bauteilgrössen auch bei hohen Betriebsspannungen und bei hohen Schaltfrequenzen einsetzbar.</p> |
