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发明名称 METHOD FOR IMPROVING THE ELCTRICAL ERASE CHARACTERISTICS OF FLOATING GATE MEMORY CELLS
摘要
申请公布号 KR100189222(B1) 申请公布日期 1999.07.01
申请号 KR19910000196 申请日期 1991.01.09
申请人 INTEL CORP. 发明人 LAI, STEFAN K.
分类号 H01L21/8247;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/00 主分类号 H01L21/8247
代理机构 代理人
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