发明名称 磁阻传感器及其制造方法
摘要 基于自旋阀效应的MR读出传感器内的读出元件电阻的一个分量随两个相邻磁性层的磁化方向夹角的余弦值变化而变化。该读出元件含有由一非磁性金属层隔开的两个铁磁层。在两铁磁层之一上形成一个反铁磁材料层以对该铁磁层提供一个交互偏置磁场,使其磁化方向固定。在该铁磁层与该反铁磁层之间淀积一个软磁性夹层,将铁磁层与反铁磁层隔开,以增强交互耦合。铁磁材料是铁或铁合金。
申请公布号 CN1043935C 申请公布日期 1999.06.30
申请号 CN93108493.8 申请日期 1993.07.28
申请人 国际商业机器公司 发明人 佩特·M·鲍姆加特;伯纳德·迪恩;布鲁斯·A·格尼;弗吉尔·S·斯珀尤萨;丹尼斯·R·威尔霍伊特
分类号 G11B5/39 主分类号 G11B5/39
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人 陆立英
主权项 1.一种磁阻传感器,其特征在于:第一和第二铁磁材料层由一非磁性金属材料隔层分隔开,在无外加磁场时,所述的第一铁磁材料层的磁化方向基本上垂直于所述的第二铁磁材料层的磁化方向;一层软磁性材料层与上述的第二铁磁材料层相邻并相接触;一层反铁磁材料层与上述的软磁性材料层相邻并相接触,所述的反铁磁材料层与上述的第二铁磁材料层间被上述的软磁性材料层分隔开,上述的软磁性材料层与所述的第二铁磁材料层形成一个与所述的反铁磁材料层直接接触的双层,所述的反铁磁层用于在所述的双层中提供出一个偏置磁场,因而使所述的双层中的磁化方向固定住。
地址 美国纽约