发明名称 | 半导体基片和薄膜半导体部件及它们的制造方法 | ||
摘要 | 半导体基片包括杂质浓度分布在深度方向变化的多孔层。该半导体基片也可包括杂质浓度为1×10<SUP>18</SUP>cm<SUP>-3</SUP>以上的多孔半导体,或包括通过在外延生长层中形成小孔提供的多孔层。在支撑基片的一个表面上形成薄膜半导体部件,二者之间设有上述结构的多孔层,薄膜半导体部件借多孔层的劈裂从支撑基片上分离下来。在制造半导体基片的方法中,在支撑基片的一个表面上形成杂质浓度在深度方向变化的变化杂质层。将变化杂质层转变成在深度方向有变化孔隙率的多孔层。 | ||
申请公布号 | CN1221205A | 申请公布日期 | 1999.06.30 |
申请号 | CN98126341.0 | 申请日期 | 1998.12.25 |
申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 田舎中博士 |
分类号 | H01L21/00;H01L27/00 | 主分类号 | H01L21/00 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
主权项 | 1·一种半导体基片,包括具有多孔层的多孔半导体,所说多孔层的杂质浓度分布在深度方向变化。 | ||
地址 | 日本东京都 |