| 发明名称 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN CONDENSATEUR DANS UNE MEMOIRE VIVE DYNAMIQUE |
| 摘要 |
<P>En utilisant un seul processus de photolithographie, le procédé conforme à l'invention forme une électrode inférieure (107) sur un substrat semiconducteur (100) portant une structure métal-oxyde-semiconducteur. On obtient un condensateur pour une mémoire DRAM en formant une couche diélectrique (109) sur le substrat et une couche de silicium polycristallin (110) sur la couche diélectrique.</P>
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| 申请公布号 |
FR2772988(A1) |
申请公布日期 |
1999.06.25 |
| 申请号 |
FR19980004376 |
申请日期 |
1998.04.08 |
| 申请人 |
UNITED SEMICONDUCTOR CORP |
发明人 |
HONG GARY;CHEN ANCHOR |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/768;H01L21/8242;(IPC1-7):H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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