Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate und kurzem Kanal, und entsprechender Transistor,申请号DE19956009698-传众专利搜索

发明名称	Verfahren zur Herstellung eines Feldeffekttransistors mit isoliertem Gate und kurzem Kanal, und entsprechender Transistor
摘要
申请公布号	DE69509698(D1)	申请公布日期	1999.06.24
申请号	DE19956009698	申请日期	1995.03.30
申请人	FRANCE TELECOM, PARIS, FR	发明人	STRABONI, ALAIN, F-38400 ST. MARTIN D'HERE, FR;MINGAM, HERVE, F-38920 CROLLES, FR
分类号	H01L21/28;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/423;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/423	主分类号	H01L21/28
代理机构		代理人
主权项
地址