| 发明名称 | 四阶罩幕式只读存储器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种四阶罩幕式只读存储器的制造方法,先制作一存储器元件;利用第一光阻层对通道区掺入掺质,以进行第一道编码(Code)的步骤,使其成为具有两种不同启始电压的晶体管。接着,覆盖上一层闸极氧化层,再利用光阻蚀刻出介层洞(Via)连往埋入式位线;之后形成一第二多晶矽层于闸极氧化层上,对第二多晶矽层进行源/汲极区的离子布值,利用第二光阻层进行第二道编码的步骤,形成一倒置且具两种不同启始电压的晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN1220491A | 申请公布日期 | 1999.06.23 |
| 申请号 | CN97108755.5 | 申请日期 | 1997.12.17 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 钟振辉;盛义忠 |
| 分类号 | H01L21/8246;H01L27/112 | 主分类号 | H01L21/8246 |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 章蔚强 |
| 主权项 | 1．一种四阶罩幕式只读存储器的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：提供一半导体基底，其上已形成有至少一闸极氧化层、一第一多晶矽层、多数个源/汲极区及多数个通道区；利用一第一光阻层为罩幕对该半导体基底部份这些通道区，进行第一道编码的步骤；形成一薄膜晶体管氧化层于该半导体基底上；进行罩幕定义，去除部分该薄膜晶体管氧化层与该闸极氧化层以形成多数个介层洞，暴露出该些源/汲极区；形成一第二多晶矽层于该薄膜晶体管氧化层上；以一罩幕对该部分第二多晶矽层掺杂掺质，以形成多数个掺杂区；以及以一第二光阻层为罩幕对部分该第二多晶矽层对应于这些通道区的区域掺杂掺质，进行第二道编码的步骤。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区力行二路三号 | ||