使用局部选择氧化在绝缘体上形成的体硅和应变硅

摘要

一种形成单晶半导体层下掩埋氧化区的方法,包括形成氧化速率与具有较快氧化速率的下层不同的外延层和通过掩模内的开口氧化这些层的步骤。可以形成多个氧化物隔离的FET。本发明减少了源/漏寄生电容和短沟道效应,同时通过选择性氧化半导体层隔离FET并消除了FET的浮体效应。

主权项

1．一种在单晶半导体层的区域下形成掩埋氧化区的方法，包括步骤：选择单晶硅衬底，在所述衬底的上表面上形成选自Si1-xGex和(Si(1-x)Gex)aC1-a构成的组的第一外延层，所述第一层具有第一氧化速率，在所述第一层上形成含硅的第二外延层，所述第二层具有小于所述第一氧化速率的第二氧化速率，在所述第二层上形成掩模，构图所述掩模以在所述掩模内形成开口，以及通过所述掩模开口氧化所述第二层和所述第一层，由此在所述第一和第二层内形成氧化区，且所述氧化区的部分代替了所述第二层下的那部分所述第一层。