发明名称 | γ-射线补偿型中子电离箱 | ||
摘要 | 一种γ-射线饱和特性不发生明显恶化的γ-射线补偿型中子电离箱。采用将孔9的面积总和设定为小于等于信号电极2表面积5%的附加限制。如果将相邻的孔9与孔9之间的距离W1设定为大于等于信号电极2与补偿电极3之间的间隔D的两倍,则还可以单独考虑对各个孔9的漏电场。而且如果使信号电极2上的孔9与表面2a、2b之间相交的部分形成曲面9b、9c,还可使电场不会产生急剧的变化。 | ||
申请公布号 | CN1220400A | 申请公布日期 | 1999.06.23 |
申请号 | CN98115149.3 | 申请日期 | 1998.06.09 |
申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 后藤丰一;深草伸二 |
分类号 | G01T3/00 | 主分类号 | G01T3/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 叶恺东;王岳 |
主权项 | 1.一种γ-射线补偿型中子电离箱,它按预定间隔依次同心地配置有分别成为圆筒状或平板状的、加以高电压用的高压电极、取出中子电流用的信号电极和加以补偿电压用的补偿电极,而且所述信号电极的一部分还设有若干个孔,其特征在于上述孔的面积总和被设定为小于等于信号电极表面积的5%。 | ||
地址 | 日本东京都 |