| 发明名称 |
Fully planarized dual damascene metallization using copper line interconnect and selective cvd aluminium plug |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG65719(A1) |
申请公布日期 |
1999.06.22 |
| 申请号 |
SG19970004692 |
申请日期 |
1997.12.26 |
| 申请人 |
APPLIED MATERIALS, INC. |
发明人 |
CHEN LIANG-YUH;GUO TED;MOSELY RODERICK CRAIG;CHEN FUSEN |
| 分类号 |
H01L21/3205;H01L21/285;H01L21/768;H01L23/538;(IPC1-7):H01L21/768;H01L23/522 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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