| 主权项 |
1.一种半导体结构,包括:一个具有闸极的电晶体,闸极包括薄介电体和闸极导体的各别区段,闸极导体实际上与薄介电体互有相关,闸极导体具有一有相对的第一和第二边缘及相对的第三和第四边缘的顶部表面;限制第一和第二边缘的高起绝缘;一自行对正到第三边缘的源极和一自行对正到第四边缘的汲极;以及一与顶部表面连接的传导性接线阶层。2.根据申请专利范围第1项的半导体结构,其中该闸极导体覆盖沉淀在一平坦化表面的覆盖薄绝缘体上,而然后使用罩覆制程界定。3.根据申请专利范围第1项的半导体结构,其中该薄绝缘体具有一致化的厚度延伸至该高起绝缘。4.根据申请专利范围第1项的半导体结构,其中该高起绝缘包括一浅凹沟绝缘。5.根据申请专利范围第1项的半导体结构,其中该高起绝缘包括一凹沟电容器。6.根据申请专利范围第1项的半导体结构,其中该源极和汲极包括一高起源极/汲极。7.根据申请专利范围第1项的半导体结构,其中该高起源极和汲极是由沉积多晶矽和沉积非结晶矽其中之一来形成。8.根据申请专利范围第1项的半导体结构,其中该高起源极和汲极是藉生长选择性的矽来形成。9.根据申请专利范围第1项的半导体结构,其中该高起源极和汲极尚包括矽化物。10.根据申请专利范围第1项的半导体结构,其中该高起源极和汲极包括一超浅接面。11.一种半导体结构,包括:一个具有闸极的电晶体,该闸极包括薄绝缘体和闸极导体的各别区段,该闸极导体实际上与该薄绝缘体共同延伸,该闸极导体具有一有相对的第一和第二边缘的顶部表面,限制第一和第二边缘的绝缘结构,该绝缘结构实际上具有邻近第一和第二边缘的垂直边壁,介电体具有一实际上一致化的厚度延伸至该高起绝缘结构。12.一种形成一场效电晶体的方法,其步骤包括:a)提供一具有包含一层闸极介电体和一层闸极导体的闸极堆叠的基体,该闸极堆叠具有一顶部表面;b)移除闸极堆叠的第一部份并在基体中蚀刻一凹沟藉以露出作为高起绝缘;c)沉积该绝缘物并平坦化堆叠的顶部表面;d)移除该闸极堆叠的第二部份作为源极/汲极区域并露出闸极堆叠邻近源极/汲极区域的边壁;e)形成邻近闸极堆叠的露出边壁之间隔物;以及f)在源极和汲极区域之露出部份中形成源极/汲极扩散区。13.根据申请专利范围第12项的方法,其中步骤(f)藉着形成一高起源极/汲极和从高起源极/汲极扩散的步骤来实现。14.根据申请专利范围第13项的方法,其中高起源极/汲极是由沉积非结晶或多晶矽,平坦化该矽,并蚀刻该矽的步骤来形成,该蚀刻步骤留下源极/汲极露出部份中一部份的矽。15.根据申请专利范围第14项的方法,更包括掺杂矽的步骤。16.根据申请专利范围第14项的方法,其中该平坦化步骤是以磨光来实现。17.根据申请专利范围第14项的方法,其中该平坦化步骤是藉一平坦化蚀刻来实现。18.根据申请专利范围第13项的方法,其中该高起源极/汲极是藉形成源于源极汲极区域之选择性的矽之步骤而形成。19.根据申请专利范围第13项的方法,尚包括矽化该高起源极和汲极的步骤。20.一种形成一积体电路的方法,步骤包括:在一半导体基体上形成一闸极电极,闸极电极具有第一和第二边缘;在邻近第一和第二边缘之基体上形成绝缘结构;蚀刻该闸极电极以界定第三和第四边缘;以及在邻近第三和第四边缘之基体上形成扩散区域。图式简单说明:第一图-第八图是表示用来制作本发明第一方面的半导体结构的制程中几项步骤之结构的横截面图;第九图-第十三图是表示用来制作本发明第二方面的半导体结构的制程中几项步骤之结构的横截面图; |
