| 主权项 |
1.一种超薄经济型晶片封装方法,包括:一取用正反面具有铜箔之薄厚度软性基材之步骤;一为对正反面压合光阻(乾膜)之步骤;一仅对基材底部进行单面接点光罩之曝光的步骤;一对底部光阻显影而形成遮罩孔洞之步骤;一利用该底部光阻做为遮罩,对孔洞内层之铜箔进行蚀刻形成可与该软性基材接触之孔洞的步骤;一去除光阻之步骤;一对底层进行雷射或电浆钻孔,而使该软性基材形成通达上层铜箔之孔洞的步骤;一压合光阻(乾膜)之步骤;一对上层光阻进行线路光罩曝光/显影之步骤;及一运用上层光阻为遮罩对上下层铜箔进行蚀刻之步骤;据以形成具线路铜箔且在软性基材处形成有与线路铜箔直通之凹孔的超薄晶片封装板者。2.如申请专利范围第1项所述之超薄经济型晶片封装方法,其中该软性基材可为PI、PE或FR软质材料构成。3.如申请专利范围第1项所述之超薄经济型晶片封装方法,其中该方法可适用于形成单面或双面铜箔者。4.如申请专利范围第1项所述之超薄经济型晶片封装方法,其中该制成之封装板表面更可压合一已预先冲出布晶孔、方孔或圆孔之不流胶(NON FLOW)胶片,供做为线路铜箔之保护以及与封胶保护层形成良好的黏着性。5.如申请专利范围第4项所述之超薄经济型晶片封装方法,其中该不流胶胶片之厚度约在1-3密尔。6.如申请专利范围第1或4项所述之超薄经济型晶片封装方法,其中更可在封装板表面压合一已预先冲出布晶孔、方孔或圆孔之耐燃积层基板(FR4),以形成平面凹槽封装结构者。7.如申请专利范围第6项所述之超薄经济型晶片封装方法,其中该耐燃积层基板之厚度约在0.3-0.5mm者。8.一种超薄经济型晶片封装方法,包括:一取用具有光滑表面之脱模材料之步骤;一为对正反面电镀薄厚度之铜箔的步骤;一压合光阻(乾膜)之步骤;一实施接点光罩之曝光/显影,而使得光阻表面形成凹陷图案之步骤;一对凹陷图案实施电镀厚铜,以形成导电线路之步骤;一去除光阻(乾膜)之步骤;一压合预先形成有对应于导电线路之冲孔之软性基板于该导电线路,并使之高温聚合之步骤;一令脱模材料与该软性基板分离,而使导电线路移转至软性基板之步骤;及一对软性基板上所附着之薄铜进行微蚀刻去除之步骤;形成具线路铜箔且在软性基材处形成有与线路铜箔直通之凹孔的超薄晶片封装板者。9.如申请专利范围第8项所述之超薄经济型晶片封装方法,其中该脱模材料可为钢材、陶瓷复合材料或铁氟龙复合材料者。10.如申请专利范围第8项所述之超薄经济型晶片封装方法,其中该薄铜之厚度约在0.05-0.3密尔者。11.如申请专利范围第8项所述之超薄经济型晶片封装方法,其中该软性基材可为PI、PE或FR软质材料构成。12.如申请专利范围第8项所述之超薄经济型晶片封装方法,其中该方法可适用于形成单面或双面铜箔者。13.如申请专利范围第8项所述之超薄经济型晶片封装方法,其中该制成之封装板表面更可压合一已预先冲出布晶孔、方孔或圆孔之不流胶(NON FLOW)胶片,供做为线路铜箔之保护以及与封胶保护层形成良好的黏着性。14.如申请专利范围第13项所述之超薄经济型晶片封装方法,其中该不流胶胶片之厚度约在1-3密尔。15.如申请专利范围第8或13项所述之超薄经济型晶片封装方法,其中更可在封装板表面压合一已预先冲出布晶孔、方孔或圆孔之耐燃积层基板(FR4),以形成平面凹槽封装结构者。16.如申请专利范围第15项所述之超薄经济型晶片封装方法,其中该耐燃积层基板之厚度约在0.3-0.5mm者。图式简单说明:第一图:系本发明之单面线路板的第一实施例结构图。第二图:系本创作之单面线路板的第二实施例结构图。第三图A-L:系本发明之第一实施例之制程剖面图。第四图A-J:系本发明之第二实施例之制程剖面图。第五图:系本发明之平面型包装的实施例图。第六图:系本发明之平面凹槽型包装的实施例图。 |
