| 主权项 |
1.一种用于制造半导体元件的离子植入系统,其系依序包含一个离子源,一个离子萃取器,一个离子交换器,一个离子质量分析器,一个离子加速器,一个tendetron腔,一个电荷过滤器,和一个沿着离子束路径放置离子植入晶片的终点站,系统以tendetron腔为中心沿着离子束路径在半导体元件制造设备的上下两部份分开安装。2.如申请专利范围第1项所定义的系统,系统的前半部被安排在半导体元件制造设备的下半部。3.如申请专利范围第1项所定义的系统,其系根据垂直折射方法来安排离子质量分析器,藉此使离子束垂直折射。4.如申请专利范围第1项所定义的系统,其中离子源系以将要植入的掺杂物供给至离子源的一边为考量来安排。5.如申请专利范围第2项所定义的系统,其中tendetron腔的一部份系安装在半导体元件制造设备的上半部。图式简单说明:第一图系一张传统用于制造半导体元件的离子植入系统的描述图;以及第二图系一张根据本发明之较佳具体实施例用于制造半导体元件的离子植入系统的描述图。 |
