| 主权项 |
1.一种层结构,至少含有一基材(S),一铂层(PS),一在 铂层(PS)上安置之铁电层(FS),其中在基材(S)及铂层( PS )之间安置一非晶形Al2O3组成之中间层(Zs)。2.如申 请专利范围第1项之层结构,其中基材(S)之表面( OS)包含氧化矽。3.如申请专利范围第1项之层结构, 其中基材(S)包含具有 氧化矽表面层(OS)之单晶矽。4.如申请专利范围第1 -3项任一项之层结构,其中中间层 (Zs)有10至约1000nm之层厚。5.如申请专利范围第1-3 项任一项之层结构,其中铁电层 (FS)系择自Pb(Zr,Ti)O3材料系所组成之群。6.如申请 专利范围第1-3项任一项之层结构,其中-中间 层(ZS)有10至约1000nm之层厚及-铁电层(FS)系择自Pb( Zr,Ti)O3材料所组成之群。7.一种生产层结构之方法 ,该层结构具有基材(S)、铂层( PS)、安置在铂层上之铁电层(FS),其中在基材与铂 层之 间以薄层方法沈积由Al2O3所组成之中间层。8.如申 请专利范围第7项之方法,其中中间层系在100- 300℃基材温度下被沈积。9.如申请专利范围第7或8 项之方法,其中铁电层(FS)在至 少450℃之基材温度下,在含氧电浆中予以沈积。10. 如申请专利范围第7或8项之方法,其中铂层在100- 300℃基材温度下被沈积。11.如申请专利范围第7或 8项之方法,其中一铁电层(FS) 在至少450℃之基材温度下,在含氧电浆中予以沈积 及一 铂层在100-300℃基材温度下沈积。12.如申请专利范 围第1-3项中任一项之层结构,其被利 用以生成电铁薄层结构元件,如热侦测器、电容器 及蓄电 器。图式简单说明:第一图系本发明层结构之横截 面示意 图。第二图图示一本发明层结构之表面的REM照片 。第三 图图示一已知习用技术之具有含钛中间层的层结 构。 |
