| 发明名称 |
GAN INSULATED GATE TYPE TRANSISTOR AND FORMING METHOD THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH11163334(A) |
申请公布日期 |
1999.06.18 |
| 申请号 |
JP19970327632 |
申请日期 |
1997.11.28 |
| 申请人 |
FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
发明人 |
YOSHIDA KIYOTERU |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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