| 发明名称 |
SILICON CARBIDE SUBSTRATE AND ITS PRODUCTION, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH11162850(A) |
申请公布日期 |
1999.06.18 |
| 申请号 |
JP19980241899 |
申请日期 |
1998.08.27 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
发明人 |
KITAHATA MAKOTO;UCHIDA MASAO;TAKAHASHI KUNIMASA |
| 分类号 |
C30B25/04;C30B25/10;C30B25/14;C30B25/16;C30B25/18;C30B25/20;C30B29/36;H01L21/203;H01L21/205;H01L21/338;H01L29/16;H01L29/778;H01L29/812;(IPC1-7):H01L21/203 |
主分类号 |
C30B25/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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